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用硅电容代替陶瓷电容村田的“光”策略

作者: admin 来源: 未知 时间: 2019-10-09 阅读:

  村田的多层片状陶瓷电容广泛应用于消费类电子、汽车等多个领域,为人们所熟悉。但在光通信领域,村田主打的硅电容有着比陶瓷电容更好的性能,满足光通信对超高频器件的需求。

  村田的这条硅电容产品线年村田收购的IPDiA S.A公司。这家公司位于法国,该公司的产品和技术被广泛应用于医疗、工业、通信等要求高可靠性的领域,此次收购进一步巩固了村田作为高可靠性电容器供应商的领先地位。

  在第21届中国国际光电博览会(CIOE 2019)上,村田工程师向电子发烧友记者介绍,光通信速度越来越快,当通信速度达到毫米波宽带时,超小型的贴片陶瓷电容器(MLCC)中的插入损耗会增加,相比之下,硅电容器具有低插入损耗、高稳定性等优势,市场需求迅速扩大。

  村田的高密度硅电容器,通过应用半导体的MOS工艺实现三维化,大幅增加电容器表面积,从而提高了基板单位面积的静电容量。这个特点能够适用于网络相关(RF功率放大器、宽带通信)、高可靠性用途、医疗、汽车、通信等领域。

  查阅村田官网硅电容技术的资料,村田将High-Q电感、电阻、平面MIM电容器、巴伦用沟槽MOS电容器、PLL环路滤波器、低通滤波器、RC滤波器、馈线去耦装置等各种被动元件组合起来,提供给客户。

  此项技术也提供利用与MOS半导体完全兼容的后工序技术集成被动元件的平台,并且可以应用于SIP,利用其他技术(CMOS和MEMS等)进行多片模块和倒装片的异质集成。

  在村田众多硅电容器产品系列中,本次光博会上展出的XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列是支持最高到100GHz+的表面贴装型硅电容器。

  据悉,村田硅电容所支持的带宽从20、40、67到110GHz,目前67GHz的硅电容已经量产,110GHz的在去年底推出。不难看出,因应光通信高速率的要求,具有大带宽的硅电容将更受市场欢迎。

  在特性上,村田硅电容器实现了-55℃至 150℃的广泛工作温度范围。耐压达450V,使用寿命至少达10年之久,硅电容尺寸薄至50um以内。这些参数都表明硅电容较之MLCC在光通信领域有着更大的应用特质。

  此次村田不仅带来了硅电容器,还展示了硅基板。普通的氮化铝(AlN)陶瓷基板无法做到小型化以及存在可靠性挑战,相比之下,村田定制化硅基板方案具有小型化、高可靠性、成本更低等优势。“硅基板可以将电容与电阻等器件整合到基板内部,从而实现基板的小型化等特性”,村田工程师解析说。

  在数据中心领域村田提供用于线缆管理的RFID标签产品,由于在线缆实际应用中需要贴标签来辨别接头与插口的对应情况,时间久了普通标签容易磨损,而将RFID标签贴在接头上方便扫描验证,便于管理。村田的这款RFID标签采用陶瓷封装,通过读写器读取光纤ID、光纤种类、插入位置等信息,实现简单的光纤识别,消除连接错误,避免因接头插错而引起的数据中心系统停顿等故障的发生。

  据了解,此次是村田第一次参加光博会,或许正是因为对光通信市场前景的看好,看得出村田是有备而来,布局了硅电容、硅基板以及小型化RFID标签等多种产品,应对未来高速增长的光通信市场需求。www.798200.com夜明珠预测玄机

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